Quelle est la définition d'un transistor GAA (gate-all-around) ?

Réponse : B. La grille entoure entièrement le canal, par exemple des nanofeuillets

Le GAA est une structure qui empile plusieurs canaux minces en forme de feuillets (nanofeuillets) ou de fils de quelques nm d'épaisseur, entièrement entourés par la grille. Le contrôle s'exerçant sur quatre côtés, l'emprise de la grille est encore plus forte que dans un FinFET, ce qui permet de limiter les effets de canal court jusqu'à des longueurs de grille plus courtes. Adopté par Samsung au nœud 3 nm (2022), par TSMC au nœud 2 nm et par Intel au nœud 18A, il est la structure standard qui succède au FinFET.