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Transistors avancés (FinFET et GAA)

Quelle est la caractéristique structurelle du FinFET ?

  1. ALa grille entoure sur trois côtés un canal dressé en forme d'ailette (fin)
  2. BSeule la face supérieure du canal est couverte par une grille plane
  3. CLe métal est en contact direct avec le canal, sans diélectrique de grille
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Réponse : A. La grille entoure sur trois côtés un canal dressé en forme d'ailette (fin)

Le FinFET est un transistor tridimensionnel dans lequel le silicium est dressé comme une ailette (fin) de quelques nm à une quinzaine de nm de large et de quelques dizaines de nm de haut, dont les deux flancs et la face supérieure sont entourés par la grille. La grille contrôlant le canal sur trois côtés, les effets de canal court sont plus faciles à limiter que dans un transistor planaire et la fuite à l'état bloqué est réduite. De plus, le chemin de courant s'étendant en hauteur, un fort courant est obtenu sur une petite surface. Il est devenu la norme de la logique avancée à partir du nœud 22 nm.

Coupe : transistor planaire et FinFET Planaire Grille La grille ne contrôle que la face supérieure FinFET Grille Fin La grille entoure le fin sur trois côtés (dessus et deux flancs)
Coupe : transistor planaire et FinFET · Voir dans les schémas
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