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Transistors avancés (FinFET et GAA)

Pourquoi le SiGe ou le germanium est-il étudié ou adopté à la place du silicium comme matériau de canal des pMOS ?

  1. AParce que la mobilité des trous y est élevée
  2. BParce que la mobilité des électrons y est très faible
  3. CParce que le matériau est bon marché
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Réponse : A. Parce que la mobilité des trous y est élevée

Le germanium et le SiGe présentent une faible masse effective des trous et une mobilité des trous supérieure à celle du silicium, ce qui augmente le courant de conduction des pMOS. Le SiGe, aux propriétés proches du silicium, s'intègre facilement aux procédés existants, et le décalage de ses bandes aide à ajuster la tension de seuil avec la grille métallique ; il est donc adopté pour le canal des pMOS dans les procédés avancés. Des canaux 100 % Ge sont également étudiés.

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