Français
Menu

Transistors avancés (FinFET et GAA)

Quelle combinaison d'entreprise et de nœud correspond à la première adoption du FinFET (appelé Tri-Gate par Intel) dans des produits logiques en production de masse ?

  1. AIntel, nœud 22 nm (vers 2011-2012)
  2. BTSMC, nœud 90 nm (vers 2004)
  3. CSamsung, nœud 2 nm (vers 2025)
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : A. Intel, nœud 22 nm (vers 2011-2012)

Intel a adopté le FinFET (appelé Tri-Gate par la société) en production de masse au nœud 22 nm et l'a intégré à ses produits à partir d'Ivy Bridge en 2012. Une réduction d'environ moitié de la consommation à performances égales avait été annoncée. TSMC et Samsung ont ensuite adopté le FinFET aux nœuds 16/14 nm, et la transition depuis le planaire s'est généralisée. Le concept de FinFET avait été publié en 1999 par Chenming Hu et ses collaborateurs à l'Université de Californie à Berkeley.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Transistors avancés (FinFET et GAA)

  1. Quelle combinaison d'entreprise et de nœud correspond à la première annonce mondiale de production de masse de transistors GAA (nanofeuillets) ?
  2. Quel est l'objectif principal de la miniaturisation des transistors ?
  3. Que désigne le « nanofeuillet » d'un transistor GAA à nanofeuillets ?
  4. Que représente le k de « diélectrique de grille high-k » ?
  5. Pour un FinFET dont l'ailette mesure 50 nm de haut et 6 nm de large, quelle valeur est la plus proche de la largeur de canal effective par ailette (périmètre entouré par la grille) ?

Comparatifs sur ce thème