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Transistors avancés (FinFET et GAA)

Quelle combinaison d'entreprise et de nœud correspond à la première annonce mondiale de production de masse de transistors GAA (nanofeuillets) ?

  1. AIntel, nœud 45 nm
  2. BSamsung, nœud 3 nm (2022)
  3. CTSMC, nœud 28 nm
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Réponse : B. Samsung, nœud 3 nm (2022)

Samsung a annoncé en 2022 le lancement de la production de masse de transistors GAA (appelés MBCFET par la société) au nœud 3 nm. TSMC a adopté le GAA au nœud 2 nm (N2) et Intel au nœud 18A (RibbonFET), avec une montée en production vers 2025. Pour le GAA, la souplesse de la largeur des nanofeuillets et la combinaison avec de nouvelles technologies comme l'alimentation par la face arrière sont les clés de l'amélioration des performances.

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