Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Waarom worden SiGe of germanium overwogen en toegepast als kanaalmateriaal voor pMOS in plaats van silicium?

  1. AOmdat de mobiliteit van gaten hoog is
  2. BOmdat de mobiliteit van elektronen zeer laag is
  3. COmdat het materiaal goedkoop is
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Omdat de mobiliteit van gaten hoog is

Germanium en SiGe hebben een kleine effectieve massa van gaten en een hogere gatenmobiliteit dan silicium, waardoor de aandrijfstroom van pMOS groter kan worden. SiGe heeft eigenschappen die dicht bij die van silicium liggen en is gemakkelijk in bestaande processen op te nemen, en doordat de bandposities verschuiven helpt het ook bij het instellen van de drempelspanning in combinatie met een metal gate; het wordt daarom in geavanceerde processen voor het kanaal van pMOS gebruikt. Kanalen met 100% Ge worden ook onderzocht.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Welke methode van driedimensionale integratie, waarbij lagen transistoren achtereenvolgens op de wafer worden opgebouwd en geen chips op elkaar worden gebonden, is dit?
  2. Welke combinatie van bedrijf en generatie die de FinFET (door Intel Tri-Gate genoemd) als eerste in een logisch product voor massaproductie toepaste, is juist?
  3. Welke combinatie van bedrijf en generatie die als eerste aankondigde GAA-transistoren (nanosheet) in massaproductie te nemen, is juist?
  4. Welke uitspraak over het belangrijkste doel van het verkleinen van transistoren is juist?
  5. Welke uitspraak over wat met 'nanosheet' in een nanosheet-GAA-transistor wordt bedoeld, is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp