첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)

pMOS의 채널 재료로 실리콘 대신 SiGe나 게르마늄이 검토·채택되고 있는 이유는?

  1. A정공의 이동도가 높기 때문
  2. B전자의 이동도가 매우 낮기 때문
  3. C재료가 저렴하기 때문
정답과 해설 보기

정답: A. 정공의 이동도가 높기 때문

게르마늄이나 SiGe는 정공의 유효 질량이 작고 정공의 이동도가 실리콘보다 높으므로 pMOS의 구동 전류를 크게 할 수 있습니다. SiGe는 실리콘에 가까운 성질이어서 기존 공정에 도입하기 쉽고, 밴드 위치가 어긋나는 덕분에 메탈 게이트와 조합한 문턱 전압 조정에도 도움이 되므로, 첨단 공정에서 pMOS의 채널에 채택되고 있습니다. Ge 100%의 채널도 연구되고 있습니다.

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