Moderne Transistoren (FinFET, GAA)

Welcher Faktor gewinnt bei stark miniaturisierten Transistoren als leistungsbegrenzende Größe an Bedeutung?

  1. AParasitäre Widerstände von Source/Drain und Kontakten sowie parasitäre Kapazitäten um das Gate
  2. BDurchmesser des Wafers
  3. CFarbe des Gehäuses
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Antwort: A. Parasitäre Widerstände von Source/Drain und Kontakten sowie parasitäre Kapazitäten um das Gate

Werden Transistoren kleiner, steigt der Anteil des Widerstands von Source/Drain und Kontakten gegenüber dem Kanalwiderstand und macht bei fortschrittlichen Generationen mitunter fast die Hälfte des Durchlasswiderstands aus. Auch der Abstand zwischen Gate und Kontakt sinkt auf über zehn nm, und die parasitäre Kapazität steigt. Daher stehen Verbesserungen außerhalb des intrinsischen Teils im Mittelpunkt der Leistungssteigerung, etwa bessere Kontaktmaterialien, Air Gaps und Spacer mit niedriger Permittivität sowie Stromversorgung von der Rückseite.

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