Moderne Transistoren (FinFET, GAA)

Welche Aussage zum Gate-Last-Prozess (Replacement Metal Gate) ist richtig?

  1. AZuerst wird das Metall-Gate gefertigt, danach folgen alle Hochtemperaturschritte
  2. BZunächst werden Transistoren mit einem Dummy-Gate gebildet, und nach den Hochtemperaturschritten wird das Dummy-Gate entfernt und durch das Metall-Gate ersetzt
  3. CEs werden Transistoren ohne Gate gefertigt
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Antwort: B. Zunächst werden Transistoren mit einem Dummy-Gate gebildet, und nach den Hochtemperaturschritten wird das Dummy-Gate entfernt und durch das Metall-Gate ersetzt

Hochtemperaturschritte wie das Aktivierungsglühen von Source und Drain (um 1000 °C) können die Austrittsarbeit von High-k-Schicht und Metal-Gate verändern. Beim Gate-Last-Prozess werden die Hochtemperaturschritte zuerst mit einem Dummy-Gate aus Polysilizium erledigt, die Zwischenschicht wird plan geschliffen, bis das Dummy-Gate freiliegt, und dieses entfernt; in den entstandenen Graben werden High-k-Schicht und Metal-Gate eingebracht. Intel setzte ihn in der 45-nm-Generation ein, und er ist heute Mainstream.

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