Dans la fabrication des transistors GAA à nanofeuillets, pourquoi retire-t-on sélectivement les seules couches de SiGe d'un empilement alterné Si/SiGe ?

Réponse : B. Pour remplir les espaces libérés par le diélectrique et l'électrode de grille, afin que la grille entoure entièrement les nanofeuillets de Si

Pour le GAA à nanofeuillets, on usine un empilement de Si et de SiGe (environ 25 à 30 % de Ge) obtenu par épitaxie alternée ; après retrait de la grille factice, seul le SiGe est gravé avec une sélectivité élevée, laissant les feuillets de Si suspendus. Le remplissage des espaces par le high-k et la grille métallique par ALD forme une structure où la grille entoure chaque feuillet en dessus, en dessous et sur les côtés. La gravure sélective retirant le seul SiGe sans endommager les feuillets est la clé de la fabrication.