첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)

게이트 라스트(리플레이스먼트 메탈 게이트) 공정에 대한 설명으로 올바른 것은?

  1. A처음에 금속 게이트를 만들고 그 후 모든 고온 공정을 수행한다
  2. B먼저 더미 게이트로 트랜지스터를 형성하고 고온 공정 후에 더미를 제거하여 금속 게이트로 교체한다
  3. C게이트를 사용하지 않는 트랜지스터를 만든다
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정답: B. 먼저 더미 게이트로 트랜지스터를 형성하고 고온 공정 후에 더미를 제거하여 금속 게이트로 교체한다

소스·드레인의 활성화 어닐링(1000 ℃ 전후) 같은 고온 공정은 High-k 막이나 메탈 게이트의 일함수를 변화시킬 우려가 있습니다. 게이트 라스트에서는 폴리실리콘 더미 게이트로 먼저 고온 공정을 끝내고, 층간막을 평평하게 깎아 더미를 노출시킨 뒤 제거하고, 생긴 홈에 High-k 막과 메탈 게이트를 매립합니다. Intel이 45 nm 세대에서 채택했으며 현재의 주류입니다.

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