Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Welke uitspraak over het gate-last-proces (replacement metal gate) is juist?

  1. AEerst wordt de metal gate gemaakt en daarna worden alle hogetemperatuurstappen uitgevoerd
  2. BEerst wordt met een dummy gate de transistor gevormd en na de hogetemperatuurstappen wordt de dummy verwijderd en vervangen door een metal gate
  3. CEr worden transistoren zonder gate gemaakt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Eerst wordt met een dummy gate de transistor gevormd en na de hogetemperatuurstappen wordt de dummy verwijderd en vervangen door een metal gate

Hogetemperatuurstappen zoals het activeringsgloeien van source en drain (rond 1000 °C) kunnen de werkfunctie van high-k-films en metal gates veranderen. Bij gate-last worden de hogetemperatuurstappen eerst uitgevoerd met een dummy gate van polysilicium, wordt de tussenlaagfilm vlak geslepen om de dummy bloot te leggen en te verwijderen en worden in de ontstane sleuf de high-k-film en de metal gate ingevuld. Intel paste het toe bij de 45 nm-generatie en het is nu de hoofdstroom.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Welk voordeel van een volledig uitgeputte SOI-transistor (FD-SOI) is juist?
  2. Hoe heet het verschijnsel dat bij kleine transistoren de drempelspanning spreidt door statistische variatie in het aantal en de positie van onzuiverheidsatomen in het kanaal?
  3. Welk ontwerpvoordeel van nanosheet-GAA-transistoren ten opzichte van FinFET's is juist?
  4. Welke techniek, die zijwandspacers gebruikt om patronen te maken die fijner zijn dan de limiet van lithografie, wordt gebruikt om de smalle vinnen van FinFET's te maken?
  5. Waarom wordt bij de productie van nanosheet-GAA-transistoren uit de laag van afwisselend gestapeld Si en SiGe alleen de SiGe-laag selectief verwijderd?

Vergelijkingen bij dit onderwerp