식각
실리콘에 XeF2 가스와 아르곤 이온 빔을 동시에 쬐면, 각각 단독일 때의 합보다 훨씬 빠르게 식각이 진행된다. 이것이 보여주는 건식 식각의 성질은?
- A식각은 온도만으로 결정된다
- B이온은 식각과 관계없다
- C이온과 라디칼의 상승 효과(이온 어시스트)
정답과 해설 보기
정답: C. 이온과 라디칼의 상승 효과(이온 어시스트)
1979년 코번과 윈터스의 실험에서는 XeF2만, 아르곤 이온만으로는 식각 속도가 작았지만 둘을 동시에 쬐면 각각의 합의 약 10배 속도가 되었습니다. 이온의 충격이 표면에 반응하기 쉬운 흐트러진 층을 만들고 반응 생성물의 탈리도 돕기 때문입니다. 이 상승 효과(이온 어시스트)로 이온이 닿는 바닥면만 빠르게 깎이며, 반응성 이온 식각에서 빠르고 이방적인 가공이 가능합니다.
- A. 온도만으로는 설명할 수 없는 현상입니다.
- B. 이온이 반응을 크게 촉진함을 보여줍니다.
- C. 맞습니다. 이온과 라디칼의 상승 효과를 보여줍니다.