Als silicium tegelijk wordt blootgesteld aan XeF2-gas en een bundel argonionen, verloopt het etsen veel sneller dan de som van beide afzonderlijk. Welke eigenschap van droog etsen toont dit aan?

Antwoord: C. Het synergetische effect van ionen en radicalen (ion-assisted)

In het experiment van Coburn en Winters uit 1979 was de etssnelheid met alleen XeF2 of alleen argonionen klein, maar bij gelijktijdige blootstelling aan beide bedroeg de snelheid circa 10 keer de som van beide afzonderlijk. Dat komt doordat het ionenbombardement een verstoorde laag op het oppervlak maakt die gemakkelijk reageert en ook de desorptie van reactieproducten helpt. Door dit synergetische effect (ion-assisted) wordt alleen de bodem waar ionen invallen snel geëtst, en met reactief ionenetsen is snelle, anisotrope bewerking mogelijk.