蝕刻
同時對矽照射XeF2氣體與氬離子束時，蝕刻的進行遠快於各自單獨照射的總和。這顯示了乾式蝕刻的何種性質？
- A蝕刻只由溫度決定
- B離子與蝕刻無關
- C離子與自由基的協同效應（離子輔助）
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正確答案：C. 離子與自由基的協同效應（離子輔助）
在1979年科本（Coburn）與溫特斯（Winters）的實驗中，單獨使用XeF2或單獨使用氬離子時蝕刻速率都很小，但兩者同時照射時，速率約為各自總和的10倍。這是因為離子轟擊會在表面形成容易反應的紊亂層，並且協助反應生成物脫附。藉由這種協同效應（離子輔助），只有離子撞擊的底面被快速蝕除，因此反應性離子蝕刻能進行快速的非等向性加工。
- A. 無法僅以溫度來說明這個現象。
- B. 顯示離子會大幅促進反應。
- C. 正確。顯示離子與自由基的協同效應。