Nederlands
Menu

Etsen

Welke chemische oplossing wordt over het algemeen gebruikt voor het nat etsen van siliciumnitridefilms?

  1. AGezuiverd water
  2. BHete fosforzuur
  3. CAmmoniakwater
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Hete fosforzuur

Siliciumnitridefilms kunnen worden geëtst met geconcentreerd fosforzuur dat tot circa 160 °C is verhit, met een hoge selectiviteit van enkele tientallen tot meer dan 100 ten opzichte van oxide. Het wordt gebruikt voor het verwijderen van nitridefilms die na de vorming van LOCOS of STI als masker zijn gebruikt, en voor 3D NAND, waar uit afwisselend gestapelde oxide- en nitridelagen alleen het nitride wordt verwijderd om door het metaal van de wordlijnen te worden vervangen. De selectiviteit verandert met de siliciumconcentratie in de vloeistof, dus nauwkeurige beheersing is nodig.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Etsen

  1. Hoe heet het verschijnsel dat bij plasma-etsen een geleider zoals een lange bedrading als antenne fungeert, lading verzamelt en daarmee het aangesloten gateoxide beschadigt?
  2. Welke uitspraak over de kenmerken van nat etsen van silicium met een waterige oplossing van kaliumhydroxide (KOH) is juist?
  3. Welke uitspraak over de kenmerken van etsapparatuur van het type inductief gekoppeld plasma (ICP) is juist?
  4. Welke maatstaf geeft aan hoe klein de spreiding van de etssnelheid over de wafer is?
  5. Hoe heet het nog gedurende een bepaalde tijd doorgaan met etsen na detectie van het eindpunt, om de film over de hele wafer zeker te verwijderen?

Vergelijkingen bij dit onderwerp