식각

실리콘 질화막의 습식 식각에 일반적으로 사용되는 약액은?

  1. A순수
  2. B뜨거운 인산
  3. C암모니아수
정답과 해설 보기

정답: B. 뜨거운 인산

실리콘 질화막은 약 160 ℃로 가열한 진한 인산으로 산화막에 대해 수십~100 이상의 높은 선택비로 식각할 수 있습니다. LOCOS나 STI 형성 후 마스크로 사용한 질화막을 제거하는 공정이나, 3D NAND에서 산화막과 질화막을 번갈아 쌓은 층에서 질화막만 제거하여 워드선 금속으로 치환하는 공정에서 사용됩니다. 용액 속 실리콘 농도에 따라 선택비가 바뀌므로 엄밀한 관리가 필요합니다.

이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

식각의 다른 문제

  1. 플라즈마 식각 중에 긴 배선 등 안테나 역할을 하는 도체가 전하를 모아, 연결된 게이트 산화막을 손상시키는 현상을 무엇이라고 부르는가?
  2. 수산화칼륨(KOH) 수용액에 의한 실리콘 습식 식각의 특징으로 올바른 것은?
  3. 유도 결합 플라즈마(ICP)형 식각 장치의 특징으로 올바른 것은?
  4. 웨이퍼 면내에서 식각 속도 편차의 작음을 나타내는 지표는?
  5. 식각의 종점을 검출한 후, 웨이퍼 전면에서 막을 확실히 제거하기 위해 일정 시간 더 식각을 계속하는 것을 무엇이라고 부르는가?

이 분야의 비교