Welches Verfahren lässt Kristalle auf einem Substrat aus einer Lösung, z. B. aus geschmolzenem Metall, auskristallisieren und aufwachsen?

Antwort: A. Flüssigphasenepitaxie (LPE)

Bei der Flüssigphasenepitaxie wird das Substrat mit einer Lösung des aufzuwachsenden Materials in einem Metall (bei GaAs Gallium) in Kontakt gebracht, und durch Abkühlen scheidet sich der übersättigte Anteil als Kristall ab. Da das Wachstum nahe dem thermischen Gleichgewicht erfolgt, ist die Kristallqualität gut, die Anlage einfach und das Wachstum schnell; früher war das Verfahren daher bei der Herstellung roter und infraroter LEDs und früher Halbleiterlaser weit verbreitet. Die Kontrolle dünner Schichten und steiler Grenzflächen gelingt mit MOCVD und MBE besser.