Lorsqu'une fine couche de silicium croît par épitaxie sur une couche de SiGe relaxée de plus grand paramètre de maille, quelle contrainte apparaît dans la couche de silicium ?

Réponse : C. Une contrainte en tension

Le paramètre de maille du silicium (0,543 nm) étant inférieur à celui du SiGe, une fine couche de silicium déposée sur du SiGe relaxé voit ses distances interatomiques étirées dans le plan pour s'adapter au SiGe, d'où une contrainte en tension (silicium contraint). La contrainte lève la dégénérescence des vallées de la bande de conduction ; les électrons se concentrent dans les vallées de faible masse effective et la diffusion diminue, ce qui multiplie la mobilité électronique par 1,5 à 2 ; cette technique a servi à améliorer les performances des nMOS.