Comment appelle-t-on la technique, utilisée notamment pour le GaN, qui réduit les dislocations en faisant croître le cristal à partir des ouvertures d'un masque puis latéralement au-dessus du masque ?

Réponse : A. Épitaxie latérale (ELO)

En ELO, des ouvertures en bandes sont pratiquées dans un masque de SiO2 ou analogue ; le cristal qui croît à partir de ces ouvertures s'étend latéralement au-dessus du masque et coalesce. Les dislocations se propageant vers le haut depuis le substrat étant bloquées par le masque, la densité de dislocations au-dessus du masque peut être réduite de plusieurs ordres de grandeur. Utilisée à la fin des années 1990 pour allonger fortement la durée de vie des lasers bleu-violet à base de GaN, elle a donné lieu à des variantes sans masque.