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Croissance épitaxiale

Quelle valeur est la plus proche de la température de croissance usuelle de l'épitaxie du silicium à partir de trichlorosilane ?

  1. AEnviron 100 ℃
  2. BEnviron 1100 ℃
  3. CEnviron 2000 ℃
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Réponse : B. Environ 1100 ℃

L'épitaxie du silicium à partir de trichlorosilane se pratique généralement vers 1100 à 1150 ℃, avec une vitesse de croissance élevée de quelques µm par minute, adaptée aux couches épitaxiales épaisses. Le dichlorosilane permet de croître vers 1000 à 1100 ℃ et le silane à des températures plus basses de 600 à 900 ℃ environ ; ils sont donc utilisés dans les procédés avancés à budget thermique serré. 2000 ℃ dépasse le point de fusion du silicium (environ 1414 ℃).

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