Croissance épitaxiale
Pourquoi utilise-t-on en épitaxie du SiC un substrat incliné de quelques degrés par rapport à l'axe cristallin (avec angle de désorientation) ?
- APour faire croître latéralement à partir des marches atomiques de surface (croissance par avancée de marches) et reproduire le même polytype que le substrat
- BPour réduire le coût du substrat
- CPour annuler la vitesse de croissance
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Réponse : A. Pour faire croître latéralement à partir des marches atomiques de surface (croissance par avancée de marches) et reproduire le même polytype que le substrat
Le SiC présente de nombreux polytypes différant par le mode d'empilement des atomes, et une croissance sur surface plane favorise l'inclusion d'autres polytypes (3C-SiC, etc.). Un substrat désorienté d'environ 4° présente de nombreuses marches atomiques en surface ; les espèces s'incorporent aux marches et la croissance progresse latéralement (croissance par avancée de marches), ce qui donne un cristal reproduisant l'empilement 4H-SiC du substrat.