Epitaxie
Warum ist die Epischicht bei der Herstellung von SiC-Leistungsbauelementen wichtig?
- AUm die spannungsaufnehmende Driftschicht mit niedriger Dotierungskonzentration und der erforderlichen Dicke präzise zu bilden
- BUm den Wafer transparent zu machen
- CUm den Leitbahnwiderstand zu senken
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Antwort: A. Um die spannungsaufnehmende Driftschicht mit niedriger Dotierungskonzentration und der erforderlichen Dicke präzise zu bilden
Da in SiC Dotierstoffe kaum thermisch diffundieren, werden die wesentlichen Schichten der Bauelemente durch epitaktisches Wachstum und Ionenimplantation gebildet. In der 1200-V-Klasse muss die Driftschicht präzise auf etwa 10 µm und 10¹⁶ cm⁻³ eingestellt werden, was Sperrspannung und Durchlasswiderstand unmittelbar bestimmt. Basalebenenversetzungen und Oberflächendefekte in der Epischicht verursachen Killerdefekte und bipolare Degradation; die Verringerung der Defekte ist daher der Schlüssel für Ausbeute und Zuverlässigkeit.