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Croissance épitaxiale

Quelle est la définition de la croissance épitaxiale sélective ?

  1. AUne croissance uniforme sur toute la plaquette
  2. BLa croissance sélective d'une couche amorphe
  3. CLa croissance cristalline uniquement sur les zones où le silicium est exposé, sans croissance sur les films isolants
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Réponse : C. La croissance cristalline uniquement sur les zones où le silicium est exposé, sans croissance sur les films isolants

Dans la croissance épitaxiale sélective, l'ajout d'acide chlorhydrique (HCl) notamment permet de ne faire croître le cristal que sur les zones de silicium exposé, les germes naissant sur l'oxyde ou le nitrure étant éliminés par gravure. Elle est utilisée en CMOS avancé pour incorporer du SiGe ou du SiP dans les sources/drains afin de contraindre le canal et d'abaisser la résistance, pour les sources/drains surélevés des FinFET et pour l'empilement des nanofeuillets GAA.

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