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Croissance épitaxiale

Quelle est la définition de l'épaisseur critique en croissance hétéroépitaxiale ?

  1. AL'épaisseur minimale nécessaire pour que la croissance commence
  2. BL'épaisseur maximale pouvant être éliminée par gravure
  3. CL'épaisseur maximale pouvant croître en conservant la contrainte sans générer de dislocations
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Réponse : C. L'épaisseur maximale pouvant croître en conservant la contrainte sans générer de dislocations

Une couche de paramètre de maille différent croît tant qu'elle est mince en restant contrainte pour s'adapter au substrat (croissance cohérente). Lorsque l'épaisseur augmente, l'énergie de contrainte croît, et au-delà de l'épaisseur critique, des dislocations de désaccord apparaissent et relaxent la contrainte. Plus le désaccord est grand, plus l'épaisseur critique est faible : par exemple quelques dizaines de nm environ pour du SiGe à 20 % de Ge. C'est une valeur clé pour concevoir sans dislocations des couches de SiGe contraint ou des puits quantiques.

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