Epitaxie

Welche Aussage zum selektiven epitaktischen Wachstum ist richtig?

  1. AEs wächst gleichmäßig auf der gesamten Waferfläche
  2. BEs wächst selektiv eine amorphe Schicht auf
  3. CDer Kristall wächst nur auf freiliegendem Silizium und nicht auf Isolatorschichten
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Antwort: C. Der Kristall wächst nur auf freiliegendem Silizium und nicht auf Isolatorschichten

Beim selektiven epitaktischen Wachstum wächst der Kristall z. B. durch Zugabe von Salzsäure (HCl) nur auf freiliegendem Silizium, und sich auf Oxid- oder Nitridschichten bildende Keime werden weggeätzt. Es wird bei modernem CMOS eingesetzt, um SiGe oder SiP in Source und Drain einzubetten, den Kanal zu verspannen und den Widerstand zu senken, sowie für erhöhte Source/Drain-Bereiche bei FinFETs und die Schichtung von Nanosheets bei GAA.

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