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Croissance épitaxiale

Quels gaz sont utilisés comme précurseurs pour la croissance épitaxiale du silicium ?

  1. AL'argon seul
  2. BLe trichlorosilane (SiHCl3) ou le dichlorosilane (SiH2Cl2)
  3. CL'oxygène
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Réponse : B. Le trichlorosilane (SiHCl3) ou le dichlorosilane (SiH2Cl2)

La croissance épitaxiale du silicium utilise des gaz contenant du silicium, comme le trichlorosilane, le dichlorosilane ou le silane, avec de l'hydrogène. À haute température, ils se décomposent et sont réduits, et le silicium se dépose sur le substrat, par exemple selon la réaction SiHCl3 + H2 → Si + 3HCl. Les précurseurs chlorés exigent des températures plus élevées, mais le HCl empêche le dépôt sur l'oxyde, ce qui les rend adaptés à la croissance sélective. Le dopage se fait par ajout de phosphine ou de diborane.

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