Croissance épitaxiale

Quel est un exemple de croissance hétéroépitaxiale ?

  1. ALa croissance de silicium sur un substrat de silicium
  2. BLa croissance de SiGe sur un substrat de silicium
  3. CL'oxydation thermique d'un substrat de silicium
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : B. La croissance de SiGe sur un substrat de silicium

La croissance d'un matériau identique au substrat est l'homoépitaxie, celle d'un matériau différent l'hétéroépitaxie. Le SiGe sur silicium, le GaN sur saphir ou SiC et l'AlGaAs sur GaAs sont des exemples d'hétéroépitaxie, où la gestion des contraintes et des défauts dus aux différences de paramètre de maille et de dilatation thermique constitue un enjeu. Le SiO2 formé par oxydation thermique est une couche amorphe obtenue en consommant le silicium et ne relève pas de la croissance épitaxiale.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Croissance épitaxiale

  1. À quoi sert principalement la MOCVD (épitaxie en phase vapeur aux organométalliques) ?
  2. Quel problème survient facilement lorsque la différence de paramètre de maille entre le substrat et la couche (désaccord de maille) est importante ?
  3. Quelle est la caractéristique de la MBE (épitaxie par jets moléculaires) ?
  4. Quels gaz sont utilisés comme précurseurs pour la croissance épitaxiale du silicium ?
  5. Quelle est la définition de la croissance épitaxiale sélective ?