Welches Beispiel für heteroepitaktisches Wachstum ist richtig?

Antwort: B. Wachstum von SiGe auf einem Siliziumsubstrat

Das Aufwachsen desselben Materials wie das Substrat heißt Homoepitaxie, das Aufwachsen eines anderen Materials Heteroepitaxie. SiGe auf Silizium, GaN auf Saphir oder SiC und AlGaAs auf GaAs sind Beispiele für Heteroepitaxie; die Beherrschung von Verspannungen und Defekten aufgrund unterschiedlicher Gitterkonstanten und thermischer Ausdehnung ist dabei eine Herausforderung. Das durch thermische Oxidation entstehende SiO2 ist eine amorphe Schicht, die unter Verbrauch von Silizium entsteht, und kein epitaktisches Wachstum.