Croissance épitaxiale
À quoi sert principalement la MOCVD (épitaxie en phase vapeur aux organométalliques) ?
- AÀ l'oxydation thermique du silicium
- BAu dépôt électrolytique des interconnexions en Cu
- CÀ la croissance épitaxiale de semi-conducteurs composés comme le GaN
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Réponse : C. À la croissance épitaxiale de semi-conducteurs composés comme le GaN
La MOCVD fait réagir sur un substrat chauffé des organométalliques comme le triméthylgallium et des hydrures gazeux comme l'ammoniac pour faire croître des cristaux de semi-conducteurs composés. La commutation des gaz permet de modifier la composition à l'échelle de quelques nm, et le traitement de plusieurs dizaines de plaquettes par lot assure une bonne productivité. Elle est largement utilisée pour les LED bleues et blanches à base de GaN, les lasers à semi-conducteurs, les composants haute fréquence et de puissance, ainsi que pour la fabrication de cellules solaires.