Croissance d'un film monocristallin d'un matériau différent de celui du substrat, par exemple SiGe sur silicium ou GaN sur saphir. Avec le même matériau, on parle d'homoépitaxie.
Nom japonais: ヘテロエピタキシー
« Hétéroépitaxie » apparaît dans 2 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Croissance épitaxiale.
Domaine: Croissance épitaxiale
Réponse : B. Faire varier progressivement le paramètre de maille pour relaxer graduellement la contrainte et réduire les dislocations traversant jusqu'à la couche supérieure
La croissance directe de matériaux à fort désaccord de maille laisse de nombreuses dislocations traverser jusqu'à la couche supérieure. Avec une couche tampon à composition progressivement variable (par exemple du SiGe dont la teneur en Ge augmente de 10 % par µm), la contrainte se relaxe par étapes, les dislocations de désaccord s'allongent le long des interfaces et restent dans la couche tampon, et la densité de dislocations traversantes de la couche supérieure peut être ramenée à environ 10⁵ à 10⁶ cm⁻². En contrepartie, la couche tampon atteint plusieurs µm d'épaisseur.
La croissance d'un matériau identique au substrat est l'homoépitaxie, celle d'un matériau différent l'hétéroépitaxie.
Quel est un exemple de croissance hétéroépitaxiale ?SiGe (silicium-germanium) Désaccord de maille GaN (nitrure de gallium) SiC (carbure de silicium) GaAs (arséniure de gallium) Oxydation thermique Croissance épitaxiale 4H-SiC Autodopage Croissance épitaxiale latérale (ELO)