Schichtabscheidung (CVD, PVD)
Welches Mittel dient dazu, die Spannung von PECVD-Siliziumnitrid von Druck- bis Zugspannung einzustellen?
- ANach der Abscheidung mit Wasser waschen
- BDurch Änderung z. B. des Verhältnisses von Hochfrequenz- und Niederfrequenz-RF-Leistung die Stärke des Ionenbeschusses der Schicht einstellen
- CDen Waferdurchmesser ändern
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Antwort: B. Durch Änderung z. B. des Verhältnisses von Hochfrequenz- und Niederfrequenz-RF-Leistung die Stärke des Ionenbeschusses der Schicht einstellen
Bei der PECVD folgen bei zugeführter niederfrequenter RF-Leistung (einige hundert kHz) schwere Ionen dem elektrischen Feld und beschießen die Schicht stark, wodurch sie sich verdichtet und leicht Druckspannung entsteht. Durch Änderung des Leistungsverhältnisses von Hochfrequenz (13,56 MHz) und Niederfrequenz, der Gaszusammensetzung und der Temperatur lässt sich die Spannung von Nitridschichten von etwa −3 GPa (Druck) bis +1,5 GPa (Zug) einstellen. Diese Eigenschaft wird bei Stressliner-Schichten genutzt, die den Transistor verspannen.