Laagafzetting (CVD, PVD)
Welke methode wordt gebruikt om de spanning van plasma-CVD-siliciumnitride af te stellen van drukspanning tot trekspanning?
- ANa de depositie met water wassen
- BDe verhouding tussen hoogfrequent en laagfrequent RF-vermogen e.d. wijzigen om de intensiteit van de ionenbombardement op de laag aan te passen
- CDe diameter van de wafer wijzigen
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: B. De verhouding tussen hoogfrequent en laagfrequent RF-vermogen e.d. wijzigen om de intensiteit van de ionenbombardement op de laag aan te passen
Bij plasma-CVD volgen zware ionen, wanneer RF-vermogen met lage frequentie (enkele honderden kHz) wordt toegevoegd, het elektrische veld en bombarderen de laag sterk, waardoor de laag gemakkelijk verdicht en drukspanning krijgt. Door de verhouding tussen hoogfrequent (13,56 MHz) en laagfrequent vermogen, de gassamenstelling en de temperatuur te wijzigen, kan de spanning van nitride worden afgesteld van circa −3 GPa (druk) tot +1,5 GPa (trek). Deze eigenschap wordt benut in stressliner-lagen die transistors onder spanning zetten.