SEM vs TEM : les microscopes électroniques dans l'analyse des semi-conducteurs
Les deux microscopes utilisent un faisceau d'électrons au lieu de la lumière, mais observent les échantillons de manière différente. Un microscope électronique à balayage (SEM) balaie la surface avec un faisceau focalisé et forme une image à partir des électrons renvoyés : il montre donc la forme de la surface. Un microscope électronique en transmission (TEM) fait traverser une lame extrêmement mince par les électrons : il peut donc montrer l'intérieur de la structure jusqu'aux atomes individuels. Le SEM est rapide et simple ; le TEM est bien plus puissant, mais lent et exigeant.
| Critère | SEM | TEM |
|---|---|---|
| Principe | Un faisceau focalisé balaie la surface ; les électrons secondaires ou rétrodiffusés forment l'image | Les électrons traversent un échantillon très mince ; les électrons transmis et diffractés forment l'image |
| Ce qu'il montre | Forme de la surface et contraste de composition | Structure interne, réseau cristallin et interfaces à l'échelle atomique |
| Résolution | Environ 1 nm au mieux ; typiquement quelques nanomètres ou plus | Inférieure à 0.1 nm : on peut voir les atomes individuels |
| Préparation des échantillons | Minime : des échantillons massifs peuvent être utilisés (les isolants nécessitent un revêtement conducteur) | Très exigeante : l'échantillon doit faire moins d'environ 100 nm d'épaisseur, souvent découpé par faisceau d'ions focalisé (FIB) |
| Énergie du faisceau | Environ 0.5 à 30 kV | Environ 80 à 300 kV |
| Vitesse | Rapide : quelques minutes par échantillon | Lente : plusieurs heures, préparation de l'échantillon comprise |
| Coût | Plus faible | Plus élevé |
| Usages typiques | Mesure de largeur de ligne (CD-SEM), revue de défauts, vues en coupe des composants | Épaisseur de l'oxyde de grille, empilements de couches minces, défauts cristallins et structure des interfaces |
Les valeurs indiquées sont des ordres de grandeur typiques et varient selon la génération de procédé et le produit.