REM vs. TEM: Elektronenmikroskope in der Halbleiteranalyse
Beide Mikroskope nutzen statt Licht einen Elektronenstrahl, betrachten Proben aber auf unterschiedliche Weise. Ein Rasterelektronenmikroskop (REM, SEM) rastert einen fokussierten Strahl über die Oberfläche und erzeugt ein Bild aus den zurückkommenden Elektronen; es zeigt also die Form der Oberfläche. Ein Transmissionselektronenmikroskop (TEM) schickt Elektronen durch eine extrem dünne Scheibe und kann so das Innere der Struktur bis hin zu einzelnen Atomen zeigen. Das REM ist schnell und einfach; das TEM ist weit leistungsfähiger, aber langsam und anspruchsvoll.
| Aspekt | REM (SEM) | TEM |
|---|---|---|
| Prinzip | Ein fokussierter Strahl rastert die Oberfläche ab; Sekundär- oder Rückstreuelektronen bilden das Bild | Elektronen durchdringen eine sehr dünne Probe; durchgelassene und gebeugte Elektronen bilden das Bild |
| Was es zeigt | Oberflächenform und Materialkontrast | Innere Struktur, Kristallgitter und Grenzflächen im atomaren Maßstab |
| Auflösung | Bestenfalls etwa 1 nm; typischerweise einige Nanometer oder mehr | Unter 0,1 nm: einzelne Atome sind sichtbar |
| Probenpräparation | Gering: Massivproben können verwendet werden (Isolatoren benötigen eine leitfähige Beschichtung) | Sehr anspruchsvoll: Die Probe muss dünner als etwa 100 nm sein, oft mit fokussiertem Ionenstrahl (FIB) geschnitten |
| Strahlenergie | Etwa 0,5 bis 30 kV | Etwa 80 bis 300 kV |
| Geschwindigkeit | Schnell: Minuten pro Probe | Langsam: Stunden, einschließlich Probenpräparation |
| Kosten | Niedriger | Höher |
| Typische Anwendungen | Linienbreitenmessung (CD-SEM), Defektbewertung, Querschnittsansichten von Bauelementen | Gateoxid-Dicke, Dünnschichtstapel, Kristalldefekte und Grenzflächenstruktur |
Die Zahlenangaben sind typische Größenordnungen und variieren je nach Prozessgeneration und Produkt.