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Transistors bipolaires

Lorsqu'on trace les caractéristiques de sortie (IC-VCE) d'un transistor en émetteur commun avec le courant de base IB comme paramètre, quelle caractéristique du régime actif est correcte ?

  1. AToutes les courbes sont des droites passant par l'origine
  2. BPour chaque IB, on obtient une ligne quasi horizontale peu dépendante de VCE
  3. CLorsque IB augmente, IC diminue
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Réponse : B. Pour chaque IB, on obtient une ligne quasi horizontale peu dépendante de VCE

En régime actif, le courant de collecteur est essentiellement fixé par le courant de base et dépend peu de VCE ; les caractéristiques de sortie forment donc, pour chaque IB, des lignes quasi horizontales dont l'espacement correspond à hFE. La légère pente montante est due à l'effet Early, et l'inverse de la pente est la résistance de sortie ro. La partie où IC monte brusquement près de l'origine est le régime saturé, et la zone sous la courbe IB = 0 le régime bloqué. On y superpose la droite de charge pour lire le point de fonctionnement et l'amplitude.

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