Quelle relation entre la tension de claquage collecteur-émetteur base ouverte BVCEO et la tension de claquage collecteur-base émetteur ouvert BVCBO est correcte ?

Réponse : B. BVCEO est inférieure à BVCBO

Base ouverte, les trous produits par l'avalanche dans la jonction de collecteur s'accumulent dans la base, jouent le rôle d'un courant de base et sont amplifiés par l'effet transistor. Le courant augmente donc brusquement dès que le facteur de multiplication M atteint environ 1 + 1/hFE, et BVCEO ≈ BVCBO/hFE^(1/n) (n entre 3 et 6 environ) peut ne valoir qu'une fraction de BVCBO. En conception, on retient la plus faible, BVCEO, comme tenue en tension, avec une marge.