바이폴라 트랜지스터

NPN/PNP 구조, 바이어스 조건, 전류 이득 등 바이폴라 트랜지스터의 기초를 객관식 문제로 확인합니다.

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바이폴라 트랜지스터: 핵심 정리

바이폴라 트랜지스터는 에미터, 베이스, 컬렉터의 3층 구조를 가지며 전자와 정공이 모두 동작에 관여합니다. 베이스 전류가 컬렉터 전류를 제어하여 증폭 작용을 합니다.

증폭 동작(활성 영역)에서는 베이스-에미터 접합이 순방향, 베이스-컬렉터 접합이 역방향으로 바이어스됩니다. 전류 이득 hFE, 베이스 폭과 재결합의 관계, 포화 영역과 차단 영역의 의미를 이해해 두세요.

바이폴라 트랜지스터 전체 문제 (50)

  1. NPN 트랜지스터를 증폭에 사용할 때(능동 영역에서 동작시킬 때)의 바이어스 조건으로 올바른 것은?
  2. 바이폴라 트랜지스터의 직류 전류 증폭률 hFE를 나타내는 식은? (IC: 컬렉터 전류, IB: 베이스 전류, IE: 에미터 전류)
  3. 바이폴라 트랜지스터의 베이스 폭을 얇게 하는 주된 이유로 가장 적절한 것은?
  4. 바이폴라 트랜지스터를 스위치로 사용할 때 온 상태에 해당하는 동작 영역은?
  5. 에미터 접지 증폭 회로의 출력 전압 위상은 입력 전압에 대해 어떻게 되는가?
  6. NPN 트랜지스터에서 에미터의 불순물 농도를 베이스보다 높게 하는 주된 이유는?
  7. 베이스 접지 전류 증폭률 α = 0.99인 바이폴라 트랜지스터의 에미터 접지 전류 증폭률 β는 대략 얼마인가?
  8. 바이폴라 트랜지스터의 얼리 효과에 대한 설명으로 올바른 것은?
  9. 두 개의 트랜지스터를 조합한 달링턴 접속의 특징으로 올바른 것은?
  10. PNP 트랜지스터에서 에미터로부터 베이스로 주입되어 주로 전류를 운반하는 캐리어는?
  11. 컬렉터 접지 증폭 회로(에미터 팔로워)의 특징으로 올바른 것은?
  12. 베이스 접지 증폭 회로의 특징으로 올바른 것은?
  13. 바이폴라 트랜지스터의 트랜지션 주파수 fT의 의미로 올바른 것은?
  14. 바이폴라 트랜지스터의 열폭주에 대한 설명으로 올바른 것은?
  15. SiGe HBT(헤테로접합 바이폴라 트랜지스터)의 특징으로 올바른 것은?
  16. 실리콘 바이폴라 트랜지스터가 포화 영역에 있을 때 컬렉터-에미터 간 전압의 기준값으로 올바른 것은?
  17. 특성이 같은 두 트랜지스터를 사용하여, 한쪽에 흘린 전류와 같은 크기의 전류를 다른 쪽에 흐르게 하는 회로는?
  18. 두 트랜지스터의 에미터를 공통의 전류원에 연결한 차동쌍의 동작으로 올바른 것은?
  19. 컬렉터 전류 1 mA로 동작하는 바이폴라 트랜지스터의 상호 컨덕턴스 gm은 대략 얼마인가? (상온, 열전압 VT ≈ 26 mV로 한다)
  20. LED와 포토트랜지스터를 하나의 패키지에 조합한 포토커플러의 주된 용도는?
  21. 트랜지스터 증폭 회로에서 에미터 저항을 넣은 전류 피드백 바이어스 회로를 사용하는 주된 이유는?
  22. 증폭 회로에서 입력 신호가 없을 때 트랜지스터의 직류 전압·전류 상태를 무엇이라 부르는가?
  23. NPN과 PNP 트랜지스터로 양과 음의 반주기를 분담하는 B급 푸시풀 증폭 회로에서 발생하기 쉬운 왜곡은?
  24. 증폭 회로의 단과 단 사이에 넣는 결합 커패시터의 역할로 올바른 것은?
  25. 실리콘 바이폴라 트랜지스터의 전류 증폭률 hFE는 일반적으로 온도가 오르면 어떻게 되는가?
  26. 에미터 접지 증폭 회로의 소신호 입력 저항(hie)을 크게 하는 조건으로 올바른 것은?
  27. 증폭 회로의 부하 저항 대신 전류원으로 동작하는 트랜지스터를 사용하는 능동 부하의 이점으로 올바른 것은?
  28. 스위치용 트랜지스터를 깊은 포화 상태에서 오프로 할 때, 오프가 되기까지 시간이 걸리는 주된 이유는?
  29. 바이폴라 트랜지스터로 구성된 대표적인 논리 IC 계열은?
  30. 바이폴라 트랜지스터와 CMOS를 같은 칩에 집적하는 기술과 그 목적의 조합으로 올바른 것은?
  31. 바이폴라 트랜지스터의 세 단자 조합으로 올바른 것은?
  32. NPN 트랜지스터의 회로 기호에서 에미터에 붙은 화살표의 방향으로 올바른 것은?
  33. 바이폴라 트랜지스터의 에미터 전류 IE, 베이스 전류 IB, 컬렉터 전류 IC의 관계로 올바른 것은?
  34. 직류 전류 증폭률 hFE = 100인 트랜지스터에 베이스 전류 10 μA를 흘렸을 때, 능동 영역에서의 컬렉터 전류는 대략 얼마인가?
  35. 바이폴라 트랜지스터가 차단 영역(오프)에 있을 때 접합의 상태로 올바른 것은?
  36. 능동 영역에서 동작하는 실리콘 바이폴라 트랜지스터의 베이스-에미터 간 전압 VBE의 기준값으로 올바른 것은?
  37. 컬렉터-에미터 간 전압 5 V, 컬렉터 전류 100 mA로 동작하는 트랜지스터의 컬렉터 손실은 얼마인가?
  38. 바이폴라 트랜지스터와 MOSFET의 제어 방식 차이로 올바른 것은?
  39. 에미터 접지 증폭 회로에서 상호 컨덕턴스 gm = 40 mS, 컬렉터 저항 RC = 5 kΩ일 때, 전압 이득의 크기는 대략 얼마인가? (부하는 무시한다)
  40. 바이폴라 트랜지스터가 포화 영역에 있을 때 접합의 상태로 올바른 것은?
  41. 에미터 접지 트랜지스터의 출력 특성(IC-VCE 특성)을 베이스 전류 IB를 파라미터로 그렸을 때, 능동 영역의 특징으로 올바른 것은?
  42. 트랜지스터 증폭 회로의 출력 특성 그림에 긋는 「부하선」이 나타내는 것으로 올바른 것은?
  43. 이상적인 B급 푸시풀 증폭 회로의 최대 전력 효율에 가장 가까운 값은?
  44. 트랜지스터를 스위치로 사용하는 회로에서 베이스에 직렬로 저항을 넣는 주된 목적은?
  45. 직류 전류 증폭률 hFE와 소신호 전류 증폭률 hfe의 차이로 올바른 것은?
  46. 바이폴라 트랜지스터의 대신호 동작을 두 개의 다이오드와 전류원으로 나타낸 모델은?
  47. 바이폴라 트랜지스터의 전류 증폭률 hFE의 컬렉터 전류 의존성으로 올바른 것은?
  48. 베이스를 개방했을 때의 컬렉터-에미터 간 항복 전압 BVCEO와 에미터를 개방했을 때의 컬렉터-베이스 간 항복 전압 BVCBO의 관계로 올바른 것은?
  49. 에미터 접지 증폭 회로의 고주파 특성을 나쁘게 하는 밀러 효과에 대한 설명으로 올바른 것은?
  50. 베이스-컬렉터 간에 쇼트키 배리어 다이오드를 병렬로 넣은 트랜지스터(쇼트키 클램프)의 목적으로 올바른 것은?

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