Transistors bipolaires

Quelle est la puissance dissipée au collecteur d'un transistor fonctionnant avec une tension collecteur-émetteur de 5 V et un courant de collecteur de 100 mA ?

  1. A50 W
  2. B0,05 W
  3. C0,5 W
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : C. 0,5 W

La puissance transformée en chaleur dans le transistor (puissance dissipée au collecteur) vaut PC ≈ VCE × IC, soit 5 V × 0,1 A = 0,5 W. L'échauffement vaut « puissance × résistance thermique » ; avec un boîtier TO-92 de résistance thermique 200 ℃/W, 0,5 W élève la température d'environ 100 ℃, ce qui peut, selon la température ambiante, dépasser la température de jonction maximale (environ 150 ℃). La puissance maximale de la fiche technique est donnée pour une température ambiante de 25 ℃ et doit être réduite (déclassement) quand la température augmente.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Transistors bipolaires

  1. Quelle différence de commande entre transistor bipolaire et MOSFET est correcte ?
  2. Dans un amplificateur en émetteur commun, avec une transconductance gm = 40 mS et une résistance de collecteur RC = 5 kΩ, quelle est approximativement l'amplitude du gain en tension ? (charge négligée)
  3. Quel est l'état des jonctions d'un transistor bipolaire en régime saturé ?
  4. Lorsqu'on trace les caractéristiques de sortie (IC-VCE) d'un transistor en émetteur commun avec le courant de base IB comme paramètre, quelle caractéristique du régime actif est correcte ?
  5. Que représente la « droite de charge » tracée sur les caractéristiques de sortie d'un amplificateur à transistor ?

Comparatifs sur ce thème