Transistors bipolaires

Dans un amplificateur en émetteur commun, avec une transconductance gm = 40 mS et une résistance de collecteur RC = 5 kΩ, quelle est approximativement l'amplitude du gain en tension ? (charge négligée)

  1. AEnviron 2000
  2. BEnviron 200
  3. CEnviron 8
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : B. Environ 200

Le gain en tension petit signal d'un amplificateur en émetteur commun vaut Av ≈ −gm × RC, soit 40 mS × 5 kΩ = 200. Comme gm = IC/VT, Av = IC·RC/VT : plus la chute de tension continue dans RC (IC·RC) est grande, plus le gain est élevé. Par exemple, une chute de 5,2 V donne un gain d'environ 200. En pratique, la charge et la résistance de sortie du transistor se mettent en parallèle et réduisent le gain, plafonné à gm × ro (plusieurs milliers).

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Transistors bipolaires

  1. Quel est l'état des jonctions d'un transistor bipolaire en régime saturé ?
  2. Lorsqu'on trace les caractéristiques de sortie (IC-VCE) d'un transistor en émetteur commun avec le courant de base IB comme paramètre, quelle caractéristique du régime actif est correcte ?
  3. Que représente la « droite de charge » tracée sur les caractéristiques de sortie d'un amplificateur à transistor ?
  4. Quelle valeur est la plus proche du rendement maximal d'un amplificateur push-pull classe B idéal ?
  5. Dans un montage utilisant un transistor en commutation, quel est le principal objectif de la résistance placée en série avec la base ?

Comparatifs sur ce thème