Français
Menu

Transistors bipolaires

Quelle dépendance du gain en courant hFE d'un transistor bipolaire vis-à-vis du courant de collecteur est correcte ?

  1. AIl est maximal à courant moyen et diminue à faible comme à fort courant
  2. BIl est constant quel que soit le courant de collecteur
  3. CIl croît de façon monotone avec le courant de collecteur
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : A. Il est maximal à courant moyen et diminue à faible comme à fort courant

À faible courant, le courant de recombinaison dans la zone de déplétion (proportionnel à exp(qV/2kT)) représente une part importante du courant de base, et hFE baisse. À fort courant, hFE baisse sous l'effet de la forte injection, où les porteurs injectés dépassent le dopage de la base, et de l'effet Kirk, où la base s'étend effectivement vers le collecteur. hFE est donc maximal à courant intermédiaire. Le principe de conception est d'utiliser le transistor dans la plage où hFE est élevé, d'après la caractéristique hFE-IC de la fiche technique.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Transistors bipolaires

  1. Quelle relation entre la tension de claquage collecteur-émetteur base ouverte BVCEO et la tension de claquage collecteur-base émetteur ouvert BVCBO est correcte ?
  2. Quelle description de l'effet Miller, qui dégrade le comportement en haute fréquence d'un amplificateur en émetteur commun, est correcte ?
  3. Quel est l'objectif d'un transistor muni d'une diode à barrière Schottky en parallèle entre base et collecteur (clampage Schottky) ?
  4. Quelles conditions de polarisation sont correctes pour utiliser un transistor NPN en amplification (fonctionnement en régime actif) ?
  5. Quelle expression donne le gain en courant continu hFE d'un transistor bipolaire ? (IC : courant de collecteur, IB : courant de base, IE : courant d'émetteur)

Comparatifs sur ce thème