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Transistors bipolaires

Quelles conditions de polarisation sont correctes pour utiliser un transistor NPN en amplification (fonctionnement en régime actif) ?

  1. ABase-émetteur en direct, base-collecteur en inverse
  2. BBase-émetteur en inverse, base-collecteur en direct
  3. CBase-émetteur et base-collecteur toutes deux en direct
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Réponse : A. Base-émetteur en direct, base-collecteur en inverse

En régime actif, la jonction base-émetteur est polarisée en direct pour injecter des électrons de l'émetteur dans la base, et la jonction base-collecteur en inverse pour attirer vers le collecteur, par un champ intense, les électrons ayant traversé la base. Le courant de collecteur dépend très peu de la tension de collecteur et est fixé par le courant de base (ou VBE), ce qui permet l'amplification. Si les deux jonctions sont en direct, c'est le régime saturé (interrupteur fermé) ; si les deux sont en inverse, le régime bloqué (ouvert).

Fonctionnement d'un transistor NPN en régime actif Émetteur n⁺ Base p Collecteur n Jonction B-E : polarisation directe Jonction B-C : polarisation inverse La plupart des électrons injectés par l'émetteur traversent la base et atteignent le collecteur Plus la base est fine, moins il y a de recombinaisons et plus le gain en courant est élevé
Fonctionnement d'un transistor NPN en régime actif · Voir dans les schémas
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