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Transistors bipolaires

Quel est l'objectif d'un transistor muni d'une diode à barrière Schottky en parallèle entre base et collecteur (clampage Schottky) ?

  1. AAugmenter le gain en courant
  2. BEmpêcher la saturation profonde du transistor, réduire la charge stockée et accélérer la commutation
  3. CAugmenter la tenue en tension
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Réponse : B. Empêcher la saturation profonde du transistor, réduire la charge stockée et accélérer la commutation

La diode Schottky conduit à environ 0,3 V, une tension inférieure à celle d'une jonction PN (environ 0,7 V). Elle dérive donc l'excès de courant de base avant que la jonction base-collecteur ne soit fortement polarisée en direct, empêchant le transistor d'entrer en saturation profonde. Les porteurs minoritaires stockés dans la base diminuent et le blocage est plus rapide ; ce principe a servi à accélérer et à réduire la consommation des séries 74S et 74LS (TTL Schottky). VCE(sat) est légèrement plus élevée, environ 0,4 V.

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