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Transistors bipolaires

Comment évolue généralement le gain en courant hFE d'un transistor bipolaire silicium lorsque la température augmente ?

  1. AIl augmente
  2. BIl diminue
  3. CIl ne change pas
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Réponse : A. Il augmente

Le hFE d'un transistor silicium augmente généralement avec la température, d'environ 0,5 à 1 % par ℃. De plus, VBE baisse d'environ −2 mV/℃ et le courant de fuite collecteur-base ICBO double environ tous les 10 ℃. Ces trois effets cumulés augmentant le courant de collecteur quand la température monte, on stabilise le point de fonctionnement par une contre-réaction, par exemple via une résistance d'émetteur. À l'inverse, à basse température hFE diminue, et il faut prendre garde à une commande insuffisante.

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