Transistors bipolaires
Quel est l'ordre de grandeur de la tension base-émetteur VBE d'un transistor bipolaire silicium en régime actif ?
- AEnviron 0,6 à 0,7 V
- BEnviron 0,1 V
- CEnviron 3 V
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Réponse : A. Environ 0,6 à 0,7 V
La jonction base-émetteur étant une jonction PN en silicium, sa tension en régime actif vaut environ 0,6 à 0,7 V, et l'on calcule souvent avec VBE ≈ 0,7 V. Plus précisément, IC ∝ exp(VBE/VT) : VBE augmente d'environ 60 mV quand le courant est multiplié par 10 et diminue d'environ 2 mV quand la température augmente de 1 ℃. Cette propriété permet d'utiliser VBE elle-même comme capteur de température ou dans les références de tension (référence à bande interdite).