Transistors bipolaires

Quelle condition augmente la résistance d'entrée petit signal (hie) d'un amplificateur en émetteur commun ?

  1. ARéduire le courant de collecteur ou utiliser un transistor à gain en courant élevé
  2. BAugmenter le courant de collecteur
  3. CAbaisser la température
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : A. Réduire le courant de collecteur ou utiliser un transistor à gain en courant élevé

La résistance d'entrée en émetteur commun vaut hie ≈ hFE × VT/IC = hFE/gm ; elle augmente si l'on réduit le courant de collecteur ou si l'on utilise un transistor à hFE élevé. Par exemple, hFE = 100 et IC = 1 mA donnent environ 2,6 kΩ. Réduire le courant abaisse aussi gm et donc le gain ; le point de fonctionnement résulte d'un compromis entre résistance d'entrée et gain. Pour augmenter davantage la résistance d'entrée, on utilise un émetteur suiveur, un Darlington ou une contre-réaction par résistance d'émetteur.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Transistors bipolaires

  1. Quel avantage présente une charge active, qui remplace la résistance de charge d'un amplificateur par un transistor fonctionnant en source de courant ?
  2. Lorsqu'on bloque un transistor de commutation depuis un état de saturation profonde, quelle est la principale raison du délai avant le blocage ?
  3. Quelle famille de circuits logiques typique est réalisée avec des transistors bipolaires ?
  4. Quelle combinaison d'une technique intégrant transistors bipolaires et CMOS sur une même puce et de son objectif est correcte ?
  5. Quelle combinaison désigne correctement les trois bornes d'un transistor bipolaire ?

Comparatifs sur ce thème