Flächendefekt, bei dem die Stapelfolge der Atomebenen gestört ist. Er ist ein Problem in Epitaxieschichten, bei der thermischen Oxidation (OSF) und in SiC-Kristallen.
Japanische Bezeichnung: 積層欠陥
Fachgebiet: Epitaktisches Wachstum
4H-SiC Autodotierung Durchstoßversetzung (Threading Dislocation) Epitaxie (epitaktisches Wachstum) Fehlpassungsversetzung (Misfit Dislocation) Gitterfehlanpassung Heteroepitaxie HVPE (Hydrid-Gasphasenepitaxie) Kritische Schichtdicke Laterales epitaktisches Überwachsen (ELO)