Was ist 4H-SiC?

Der hauptsächlich für Leistungsbauelemente verwendete SiC-Polytyp. Er hat eine große Bandlücke von etwa 3,3 eV und eine relativ hohe Elektronenbeweglichkeit.

Japanische Bezeichnung: 4H-SiC

Fachgebiet: Epitaktisches Wachstum

Verwandte Begriffe

Autodotierung Durchstoßversetzung (Threading Dislocation) Epitaxie (epitaktisches Wachstum) Fehlpassungsversetzung (Misfit Dislocation) Gitterfehlanpassung Heteroepitaxie HVPE (Hydrid-Gasphasenepitaxie) Kritische Schichtdicke Laterales epitaktisches Überwachsen (ELO) MBE (Molekularstrahlepitaxie)

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