Was ist 4H-SiC?
Der hauptsächlich für Leistungsbauelemente verwendete SiC-Polytyp. Er hat eine große Bandlücke von etwa 3,3 eV und eine relativ hohe Elektronenbeweglichkeit.
Japanische Bezeichnung: 4H-SiC
Fachgebiet: Epitaktisches Wachstum
Der hauptsächlich für Leistungsbauelemente verwendete SiC-Polytyp. Er hat eine große Bandlücke von etwa 3,3 eV und eine relativ hohe Elektronenbeweglichkeit.
Japanische Bezeichnung: 4H-SiC
Fachgebiet: Epitaktisches Wachstum
Autodotierung Durchstoßversetzung (Threading Dislocation) Epitaxie (epitaktisches Wachstum) Fehlpassungsversetzung (Misfit Dislocation) Gitterfehlanpassung Heteroepitaxie HVPE (Hydrid-Gasphasenepitaxie) Kritische Schichtdicke Laterales epitaktisches Überwachsen (ELO) MBE (Molekularstrahlepitaxie)