Was ist Durchstoßversetzung (Threading Dislocation)?

Versetzung, die durch die aufgewachsene Schicht bis zur Oberfläche verläuft. GaN auf Saphir oder Silizium hat hohe Dichten (etwa 10⁸-10⁹ cm⁻²), die Leistung und Zuverlässigkeit der Bauelemente verschlechtern.

Japanische Bezeichnung: 貫通転位

Fachgebiet: Epitaktisches Wachstum