Was ist Heteroepitaxie?

Das Aufwachsen einer einkristallinen Schicht aus einem vom Substrat verschiedenen Material, etwa SiGe auf Silizium oder GaN auf Saphir. Das Wachstum desselben Materials heißt Homoepitaxie.

Japanische Bezeichnung: ヘテロエピタキシー

Fachgebiet: Epitaktisches Wachstum

Verwandte Begriffe

4H-SiC Autodotierung Durchstoßversetzung (Threading Dislocation) Epitaxie (epitaktisches Wachstum) Fehlpassungsversetzung (Misfit Dislocation) Gitterfehlanpassung HVPE (Hydrid-Gasphasenepitaxie) Kritische Schichtdicke Laterales epitaktisches Überwachsen (ELO) MBE (Molekularstrahlepitaxie)

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